| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 200 mOhm @ 9A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 95W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1120pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 14.5A (Tc) |
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
BUZ31 E3046
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
BUZ30AH
BUZ310
BUZ31 H3045A
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
BUZ31 H
BUZ31 E3045A
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
BUZ30AH3045A
BUZ30A SMD
BUZ30A H3045A
MS2421
TRANS RF BIPO 875W 22A M103
2SC5569-TD-E
TRANS NPN 50V 7A SOT89-3
PN100_D27Z
TRANS NPN 45V 0.5A TO-92
TK7A60W,S4VX
MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS
IXA20PG1200DHGLB-TRR
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
HA92251V4-1000U-A99
92X92X25 12VDC VAPO 28.4CFM
ATS-18D-61-C1-R0
HEATSINK 40X40X10MM L-TAB
ATS-19E-137-C2-R0
HEATSINK 25X25X10MM L-TAB T766
ATS-03B-03-C3-R0
HEATSINK 40X40X15MM XCUT T412
ATS-05D-89-C2-R0
HEATSINK 35X35X30MM R-TAB T766
