اطلب اقتباس
العربية
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
طلب اقتباس
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

الجزء رقم SI4973DY-T1-E3 هل هذا جزء شائع الاستخدام؟ : نعم فعلا
يشحن من: هونج كونج أو سنغافورة مستودع
قد يكون للنموذج نفسه دفعات متعددة ، صور للاشارة فقط.
نماذج ECAD: اتصل بنا للحصول على
البريد الإلكتروني: sales@zeanoit.com

Request Quote

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
تعليقات

عملية التسوق

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:23 mOhm @ 7.6A, 10V
السلطة - ماكس:1.1W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:56nC @ 10V
نوع FET:2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5.8A


إذا كنت قد أخطأت في التغذية التي لم تطلبها. سنقوم بالبحث عن من سيتحمل المسؤولية عن هذه القضية.
إذا كان الأمر كذلك ، فسنقوم بتسليم المكونات الصحيحة للسلع البارزة بعد تلقينا compnents الخاطئة إرسال مرة أخرى.
إذا كان الأمر كذلك ، فسيتحمل العميل مسؤولية ذلك. للتفاصيل ، يرجى الاتصال بخدمة العملاء أو مبيعاتنا.

منتجات ذات صله

اعتقد انك قد تبحث عن