| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.9V @ 4A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | thinQ!™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 50µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 5.6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 130pF @ 1V, 1MHz |
IDD03SG60C
DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3
IDD04S60C
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
IDD05SG60CXTMA1
DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3
IDD06E60BUMA1
DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252
IDD03E60BUMA1
DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3
IDD-25-G
FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY
IDD04SG60CXTMA1
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
IDD04SG60C
IDD-20-G
FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY
IDD06E60
SIT1602BC-73-XXN-66.666600D
-20 TO 70C, 2016, 50PPM, 2.25V-3
SIT1602BC-33-XXN-38.400000Y
-20 TO 70C, 5032, 50PPM, 2.25V-3
SIT1602BC-71-18E-60.000000D
-20 TO 70C, 2016, 20PPM, 1.8V, 6
SIT8008AC-23-33E-51.892000E
OSC MEMS 51.8920MHZ LVCMOS SMD
SIT1602BC-12-30E-66.666660D
-20 TO 70C, 2520, 25PPM, 3.0V, 6
SIT1602BI-82-28E-72.000000T
-40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.8V, 7
SIT1602BI-32-28N-65.000000Y
-40 TO 85C, 5032, 25PPM, 2.8V, 6
SIT8008AI-23-33E-16.00000E
OSC MEMS 16.0000MHZ LVCMOS SMD
SIT8008AI-13-33E-12.288000G
OSC MEMS 12.2880MHZ LVCMOS SMD
SIT1602BC-72-XXN-74.175824G
-20 TO 70C, 2016, 25PPM, 2.25V-3
