TK100L60W,VQ

Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
TK100L60W,VQ.pdf

يمكننا تزويد Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W,VQ ، استخدم نموذج طلب عرض لطلب PARTE TK100L60W,VQ ، Toshiba Semiconductor and Storage Datasheet PDF و time.Zeanoit.com هو موزع المكونات الإلكترونية المهنية. مع أكثر من 3 ملايين عنصر من المكونات الإلكترونية المتاحة يمكن شحنها في وقت قصير ، أكثر من 250 ألف جزء من المكونات الإلكترونية في الأوراق المالية للتسليم الفوري ، والتي قد تشمل جزء رقم TK100L60W,VQ. السعر والمهلة ل TK100L60W,VQ اعتماداً على الكمية المطلوب والتوافر وموقع المستودع.

Request Quote

In Stock~~74 pcs~~: الحد الأدنى:1; مضاعفات:1; Manufacturer lead time 10 weeks

السعر
1	$32.76
10	$30.303
25	$27.846
100	$25.88

مواصفات
التعليقات
دفع
الشحن
التعبئة والتغليف

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	3.7V @ 5mA
فغس (ماكس):	±30V
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	TO-3P(L)
سلسلة:	DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	18 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):	797W (Tc)
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	TO-3PL
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Through Hole
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	15000pF @ 30V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	360nC @ 10V
نوع FET:	N-Channel
FET الميزة:	Super Junction
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):	10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	600V
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	100A (Ta)